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    臺灣松木ME2345A/ME2345A-G中低壓mos管

    全新包裝/原廠正品/量大價優/售后無憂

    產品名稱:臺灣松木P 溝道 30V (D-S) MOSFET

    產品型號:ME2345A/ME2345A-G

    代理品牌:臺灣松木

    產品封裝:SOT-23

    交期時間:現貨一般當天交貨,具體需電話詳情.

    發貨貨倉:深圳/香港

    熱門標簽:松木ME2345A,ME2345A-G,P溝道MOS管

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    資料下載:臺灣松木ME2345A/ME2345A-G 中低壓mos管產品規格書

    產品概況 產品特點 相關下載

      ME2345A / ME2345A-G,P溝道30V(D-S)MOSFET


      ME2345A一般說明


      ME2345A是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度工藝經過特別設計,可最大程度地降低導通電阻。 這些設備特別適合低壓應用,例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路,在這些應用中,需要在非常小的外形表面安裝封裝中進行開關和低串聯電源損耗。



      ME2345A產品應用


      ●筆記本中的電源管理


      ●便攜式設備


      ●電池供電系統


      ●負荷開關


      ●DSC引腳配置


      ME2345A/ME2345A-G,P-Channel 30V (D-S) MOSFET


      GENERAL DESCRIPTION


      The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field  effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited  for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where switching and low in-line power loss are needed in a very  small outline surface mount package.


      APPLICATIONS


      ● Power Management in Note book


      ● Portable Equipment


      ● Battery Powered System


      ● Load Switch


      ● DSC PIN CONFIGURATION


      ME2345A特征


      ●RDS(ON)≤68mΩ@ VGS = -10V


      ●RDS(ON)≦80mΩ@VGS=-4.5V


      ●RDS(ON)≦100mΩ@VGS=-2.5V


      ●超高密度電池設計,可實現極低的RDS(ON)


      ●出色的導通電阻和最大直流電流能力


      FEATURES


      ● RDS(ON) ≦68m?@VGS=-10V


      ● RDS(ON) ≦80m?@VGS=-4.5V


      ● RDS(ON) ≦100m?@VGS=-2.5V


      ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


      ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


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